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数量:18500 |
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规格书 |
SFT1450 |
标准包装 | 500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 40V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 21A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 28 mOhm @ 10.5A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | - |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 14.4nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 715pF @ 20V |
功率 - 最大 | 1W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
供应商器件封装 | TP |
包装材料 | Bulk |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Bulk |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 21A (Ta) |
封装/外壳 | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
供应商设备封装 | TP |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 28 mOhm @ 10.5A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 1W |
标准包装 | 500 |
漏极至源极电压(Vdss) | 40V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 715pF @ 20V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 14.4nC @ 10V |
安装风格 | Through Hole |
晶体管极性 | N-Channel |
连续漏极电流 | 21 A |
RDS(ON) | 21 mOhms |
功率耗散 | 1 W |
漏源击穿电压 | 40 V |
RoHS | RoHS Compliant |
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